Uma equipe de pesquisa chinesa desenvolveu um dispositivo revolucionário de memória flash que pode armazenar dados a uma velocidade de um bit a cada 400 picossegundos, estabelecendo um novo recorde para o dispositivo de armazenamento de semicondutores mais rápido já relatado.
Chamada de "PoX", essa memória não volátil supera até mesmo as tecnologias de memória volátil mais rápidas, que levam de 1 a 10 nanossegundos para armazenar um bit de dados. Um picossegundo é um milésimo de um nanossegundo ou um trilionésimo de um segundo.
Memórias voláteis como SRAM e DRAM, que perdem dados quando há perda de energia, não são adequadas para sistemas de baixo consumo de energia, enquanto memórias não voláteis como flash, embora sejam energeticamente eficientes, não atendem às demandas de acesso a dados em alta velocidade da IA.
Pesquisadores da Universidade Fudan desenvolveram uma memória flash bidimensional de canal de grafeno Dirac usando um mecanismo inovador, quebrando os limites de velocidade de armazenamento e acesso a informações não voláteis.
Os resultados foram publicados na quarta-feira na revista Nature.
"Ao usar algoritmos de IA para otimizar as condições de teste do processo, avançamos significativamente essa inovação e abrimos caminho para suas aplicações futuras", disse Zhou Peng, pesquisador principal do estudo da Universidade Fudan.
"Este é um trabalho original e a novidade é suficiente para projetar a potencial futura memória flash de alta velocidade", comentou o revisor do periódico.
Fonte: Xinhua
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