A Samsung pretende criar NAND de 1.000 camadas até 2030, contando com seu novo design NAND "multi-BV". O Bell relata que esse plano envolve empilhar quatro wafers para superar os limites estruturais. A tecnologia de ligação de wafer desempenha um papel crucial nesse progresso e a Samsung pretende usá-la para quebrar a barreira de 1.000 camadas. O CTO da divisão DS da Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, destacou que a ligação de wafer permite a produção separada de wafers periféricos e de células antes de uni-los em um semicondutor. O Bell diz que essa tecnologia provavelmente aparecerá primeiro no NAND de 10ª geração (V10) da Samsung, enquanto especialistas da indústria acham que um único wafer pode conter cerca de 500 camadas NAND ao implementar apenas estruturas de células. No passado, a Samsung usou a técnica COP (Cell on Peripheral), um método que coloca o circuito periférico em um wafer, com células NAND empilhadas no topo. No entanto, conforme as camadas NAND crescem, as partes periféricas inferiores enfrentam mais pressão, potencialmente afetando a confiabilidade.
O plano da Samsung envolve trabalhar com a YMTC da China , que deve oferecer uma patente de ligação híbrida para V10 NAND. A ZDNet relata que a empresa de tecnologia sul-coreana começará a fabricar seu V10 NAND em grandes quantidades no segundo semestre de 2025, com cerca de 420-430 camadas. Além da ligação de wafer, a Samsung adiciona outras tecnologias ao seu plano NAND. O Bell destaca que a gravação a frio usando molibdênio e outras novas ideias começarão com NAND de 400 camadas e desempenharão um papel fundamental no crescimento para 1.000 camadas. A Samsung não está sozinha na tentativa de criar produtos NAND de camada ultra-alta. A Kioxia do Japão também quer atingir essa meta por meio de sua tecnologia "multi-stack CBA" (CMOS Bonded to Array). O plano da empresa é ainda mais ousado, esperando vender NAND 3D de 1.000 camadas até 2027.
Fonte: techpowerup
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